中节能太阳能科技(镇江)有限公司
纸质出版:2026
移动端阅览
刘阳, 周啸颖, 杜敬良, 等. SiOxNy薄膜对量产n型双面TOPCon单晶硅太阳电池正面钝化效果的影响研究[J]. 太阳能, 2026,(1):47-57.
刘阳, 周啸颖, 杜敬良, et al. SiOxNy薄膜对量产n型双面TOPCon单晶硅太阳电池正面钝化效果的影响研究[J]. 2026, (1): 47-57.
刘阳, 周啸颖, 杜敬良, 等. SiOxNy薄膜对量产n型双面TOPCon单晶硅太阳电池正面钝化效果的影响研究[J]. 太阳能, 2026,(1):47-57. DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20241224.01.
刘阳, 周啸颖, 杜敬良, et al. SiOxNy薄膜对量产n型双面TOPCon单晶硅太阳电池正面钝化效果的影响研究[J]. 2026, (1): 47-57. DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20241224.01.
通过实验研究了SiO
x
N
y
薄膜对量产n型双面TOPCon单晶硅太阳电池(下文中的TOPCon太阳电池均指此类太阳电池)正面钝化效果的影响。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术分别在TOPCon太阳电池正面沉积2种介质钝化层,首先制备得到Al
2
O
3
/SiN
x
叠层,作为一种介质钝化层;然后在Al
2
O
3
/SiN
x
叠层中插入1层SiO
x
N
y
薄膜制备成Al
2
O
3
/SiO
x
N
y
/SiN
x
叠层,作为另一种介质钝化层。此外,通过调整SiO
x
N
y
薄膜制备过程中反应器内氨气(NH
3
)、硅烷(SiH
4
)和笑气(N
2
O)这些工艺气体的比例,得到不同成分的SiO
x
N
y
薄膜,最终制备得到正面介质钝化层结构和成分不同的太阳电池样品及对应的光伏组件样品。对这些样品分别进行薄膜厚度、少子寿命、外量子效率(EQE)、电性能、抗电势诱导衰减(PID)性能测试,以研究工艺气体流量的变化对SiO
x
N
y
薄膜和整体介质钝化层钝化性能的影响,以及不同介质钝化层结构和成分对太阳电池电性能、光伏组件抗PID性能的影响。研究结果表明:1)相较于采用Al
2
O
3
/SiN
x
叠层,采用Al
2
O
3
/SiO
x
N
y
/SiN
x
叠层作为TOPCon太阳电池正面的介质钝化层,可有效提升此类太阳电池的钝化效果,从而提升其电性能。2) SiH
4
的气体流量为1000 sccm、NH
3
的气体流量为2500 sccm、N
2
O的气体流量为7500 sccm是沉积SiO
x
N
y
薄膜的最佳工艺条件;对应得到的TOPCon太阳电池的光电转换效率可达到26.35%,对应得到的光伏组件抗PID性能测试后的光电转换效率与测试前的差值降至1.21%,差值较小。综上,在TOPCon太阳电池正面介质钝化层的Al
2
O
3
/SiN
x
叠层中引入SiO
x
N
y
薄膜,不仅能达到此类太阳电池生产线量产的要求,而且在光
电转换效率和抗PID性能方面均具有一定程度的提升作用。
何亮,王祥宇,田浩生,杨海林,乐景胜,杨帆,梁佳伟,刘利芹.多种方法制备SiO_2薄膜及其性能研究[J].材料导报,2024(S1).
杨露,刘大伟,张婷,魏凯峰,石慧君.TOPCon太阳电池发射极Al_2O_3/SiN_x与SiO_2/Al_2O_3/SiN_x叠层膜钝化性能的比较[J].人工晶体学报,2022(12).
周子游,蔡先武,刘文峰.PECVD制备太阳电池氮化硅薄膜特性研究[J].太阳能,2017(08).
吴大卫,贾锐,丁武昌,陈晨,武德起,陈伟,李昊峰,岳会会,刘新宇.Optimization of Al_2O_3/SiN_x stacked antireflection structures for N-type surface-passivated crystalline silicon solar cells[J].半导体学报,2011(09).
Zixiao Zhou,Qian Kang,Zhaoqing Sun,Yongcai He,Jingjie Li,Chang Sun,Chaowei Xue,Minghao Qu,Xiaoqing Chen,Zilong Zheng,Bo Wang,Hui Yan,Xixiang Xu,Yongzhe Zhang.Optimizing strategy of bifacial TOPCon solar cells with front-side local passivation contact realized by numerical simulation[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,2024.
Qinqin Wang,Kaiyuan Guo,SiWen Gu,Wei Huang,Hui Peng,Wangping Wu,Jianning Ding.Electrical Performance, Loss Analysis, and Efficiency Potential of Industrial‐Type PERC, TOPCon, and SHJ Solar Cells: A Comparative Study[J].Progress in Photovoltaics: Research and Applications,2024.
Shuo Deng,Yalun Cai,Udo Roemer,Fa Jun Ma,Fiacre Rougieux,Jialiang Huang,Yuhao Cheng,Martin A. Green,Ning Song.Mitigating parasitic absorption in Poly-Si contacts for TOPCon solar cells: A comprehensive review[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,2024.
Zeng Qingguo,Li Longwei,Meng Hongchen,Wu Xiaoyuan,Wei Xiuqin,Zhou Lang.A study on the improvement of amorphous silicon/crystalline silicon heterojunction solar cells by microwave processing[J].Journal of Materials Science: Materials in Electronics,2024.
Ruy S. Bonilla,Bram Hoex,Phillip Hamer,Peter R. Wilshaw.Dielectric surface passivation for silicon solar cells: A review[J].physica status solidi (a),2017.
Kevin Lancaster,Stephan Großer,Frank Feldmann,Volker Naumann,Christian Hagendorf.Study of Pinhole Conductivity at Passivated Carrier-selected Contacts of Silicon Solar Cells[J].Energy Procedia,2016.
Liang, W.,Weber, K.J.,Thomson, A.F..Effective SiN$_{bf x}$ :H Capping Layers on 1-nm Al2O3 for p$^{bf +}$ Surface Passivation[J].IEEE journal of photovoltaics,2014.
G. Dingemans,W. M. M. Kessels.Status and prospects of Al_(2)O_(3)-based surface passivation schemes for silicon solar cells[J].Journal of Vacuum Science & Technology, A. Vacuum, Surfaces, and Films,2012.
Boris Veith,Florian Werner,Dimitri Zielke,Rolf Brendel,Jan Schmidt.Comparison of the thermal stability of single Al2O3 layers and Al2O3/SiNx stacks for the surface passiviation of silicon[J].Energy Procedia,2011.
M.I Alayo,I Pereyra,W.L Scopel,M.C.A Fantini.On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiO x N y films[J].Thin Solid Films,2002.
林家鑫.高效TOPCon太阳电池正面发射极研究[D].南昌大学,2024(04).
0
浏览量
9
下载量
0
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构
京公网安备11010802024621