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电压源驱动下SiC MOSFET开关性能与栅极可靠性协同优化
更新时间：2026-10-18

    • 电压源驱动下SiC MOSFET开关性能与栅极可靠性协同优化

    • Collaborative optimization of switching performance and gate reliability for SiC MOSFET under voltage-source gate driver

    • 电机与控制学报   2025年29卷第5期 页码：144-156

    • DOI：10.15938/j.emc.2025.05.014    

      中图分类号： TM464

    • 收稿：2024-04-30，

      纸质出版：2025-05

    移动端阅览

  • 项鹏飞, 郝瑞祥, 王德顺, 等. 电压源驱动下SiC MOSFET开关性能与栅极可靠性协同优化[J]. 电机与控制学报, 2025,29(5):144-156. DOI： 10.15938/j.emc.2025.05.014.

    XIANG Pengfei, HAO Ruixiang, WANG Deshun, et al. Collaborative optimization of switching performance and gate reliability for SiC MOSFET under voltage-source gate driver[J]. Electric Machines and Control, 2025, 29(5): 144-156. DOI： 10.15938/j.emc.2025.05.014.

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