军械工程学院静电与电磁防护研究所2. 武汉军械士官学校教练勤务团3. 武汉军械士官学校雷达系
纸质出版:2014
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[1]李凯,魏光辉,潘晓东,刘国红,李新峰.贯通导体耦合对金属腔体屏蔽效能的影响[J].高电压技术,2014,40(09):2842-2848.
李凯, 魏光辉, 潘晓东, et al. 贯通导体耦合对金属腔体屏蔽效能的影响[J]. 2014, 40(9): 2842-2848.
[1]李凯,魏光辉,潘晓东,刘国红,李新峰.贯通导体耦合对金属腔体屏蔽效能的影响[J].高电压技术,2014,40(09):2842-2848. DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.033.
李凯, 魏光辉, 潘晓东, et al. 贯通导体耦合对金属腔体屏蔽效能的影响[J]. 2014, 40(9): 2842-2848. DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.033.
为研究外部电磁能量通过贯通导体耦合对腔体内部屏蔽效能的影响
利用电磁仿真软件FEKO
从频域角度对腔体内部场进行了仿真研究
利用矢量网络分析仪、功率放大器、GTEM室和全向电场探头搭建实验系统进行了验证
并通过建立含贯通导体金属腔体电路模型进行了谐振频率定性分析。结果表明:仿真和实验的结果具有一致性;当加入贯通导体后
腔体的屏蔽效能减小
谐振频率降低。腔体屏蔽效能随着贯通导体数量的增多而减小
随着电场极化方向与贯通导体夹角增大而减小
在腔体谐振频率以下随着监测点到贯通导体位置增大3倍
屏蔽效能提高20 dB。屏蔽效能的谐振频点受贯通导体长度影响较大
随着贯通导体数量增多而减小
不随电场极化方向和监测点位置变化而改变。为了改善含贯通导体金属腔体的屏蔽效能
应注意引入贯通导体后产生的新谐振频点
以及在这些频点上的屏蔽效能极小值
敏感电路应远离贯通导体放置。
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