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混沌腔体中电场边缘概率分布模型
电磁兼容与工程电磁场 | 更新时间:2025-12-08
    • 混沌腔体中电场边缘概率分布模型

    • 混沌腔体中电场边缘概率分布模型

    • 高电压技术   2014年40卷第9期 页码:2791-2796
    • DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.026    

      中图分类号: O211;O441
    • 纸质出版:2014

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  • [1]庄信武,余志勇,刘光斌,谭武端.混沌腔体中电场边缘概率分布模型[J].高电压技术,2014,40(09):2791-2796. DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.026.

    庄信武, 余志勇, 刘光斌, et al. 混沌腔体中电场边缘概率分布模型[J]. 2014, 40(9): 2791-2796. DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.026.

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