安徽工业大学电气与信息工程学院2. 南京理工大学电子工程与光电技术学院弹道国防科技重点实验室
纸质出版:2014
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[1]冯德仁,姚锋,刘梦菲,何山红,车文荃,熊瑛.重频电磁脉冲对可控硅触发系统的电磁干扰[J].高电压技术,2014,40(09):2693-2698.
冯德仁, 姚锋, 刘梦菲, et al. 重频电磁脉冲对可控硅触发系统的电磁干扰[J]. 2014, 40(9): 2693-2698.
[1]冯德仁,姚锋,刘梦菲,何山红,车文荃,熊瑛.重频电磁脉冲对可控硅触发系统的电磁干扰[J].高电压技术,2014,40(09):2693-2698. DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.012.
冯德仁, 姚锋, 刘梦菲, et al. 重频电磁脉冲对可控硅触发系统的电磁干扰[J]. 2014, 40(9): 2693-2698. DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.012.
针对重频电磁脉冲(EMP)干扰现象
以可控硅门极触发电路为研究对象
进行了门极共地耦合电磁干扰的理论研究
并针对重频EMP环境下可控硅触发的可靠性
分别进行了不同重频EMP数量与不同重频EMP时间间隔下可控硅的触发输出实验。结果表明:重频EMP会影响可控硅的触发
重频EMP数量增多与间隔减小均使可控硅误触发的可能性增大。对比理论分析与实验结果
认为重频EMP干扰是由于重频EMP累积效应与重频EMP高频分量增强从而导致交互作用耦合增强所引起。
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