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一种基于等效栅极电阻控制的SiC MOSFET结温波动抑制方法
电力电子 | 更新时间：2026-02-01

    • 一种基于等效栅极电阻控制的SiC MOSFET结温波动抑制方法

    • A Method for Suppressing Junction Temperature Fluctuation of SiC MOSFET Based on Equivalent Gate Resistance Control

    • “介绍了其在碳化硅MOSFET可靠性领域的研究进展，相关专家提出等效栅极电阻控制及主动热管理方法，为解决非平稳工况下结温波动问题提供解决方案。”
    • 中国电机工程学报   2025年45卷第12期 页码：4858-4869

    • DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.241143    

      中图分类号： TM46

    • 收稿：2024-05-17，

      网络出版：2024-11-06，

      纸质出版：2025-06-20

    移动端阅览

  • 王若隐, 郑宏. 一种基于等效栅极电阻控制的SiC MOSFET结温波动抑制方法[J]. 中国电机工程学报, 2025,45(12):4858-4869. DOI： 10.13334/j.0258-8013.pcsee.241143.

    Ruoyin WANG, Hong ZHENG. A Method for Suppressing Junction Temperature Fluctuation of SiC MOSFET Based on Equivalent Gate Resistance Control[J]. Proceedings of the CSEE, 2025, 45(12): 4858-4869. DOI： 10.13334/j.0258-8013.pcsee.241143.

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