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基于多物理场耦合分析的水下副边旋转阵列式LCT温升研究
电力电子 | 更新时间:2026-01-14
    • 基于多物理场耦合分析的水下副边旋转阵列式LCT温升研究

    • 基于多物理场耦合分析的水下副边旋转阵列式LCT温升研究

    • 中国电机工程学报   2025年45卷第6期 页码:2367-2378
    • DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.240008    

      中图分类号: TM40;TM724
    • 纸质出版:2025

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  • 程志远, 刘亭亭, 张志芹, 等. 基于多物理场耦合分析的水下副边旋转阵列式LCT温升研究[J]. 中国电机工程学报, 2025,45(6):2367-2378. DOI: 10.13334/j.0258-8013.pcsee.240008.

    程志远, 刘亭亭, 张志芹, et al. 基于多物理场耦合分析的水下副边旋转阵列式LCT温升研究[J]. 2025, 45(6): 2367-2378. DOI: 10.13334/j.0258-8013.pcsee.240008.

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