碳化硅场效应管(siliconcarbide metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor

Si C MOSFET)在快速导通关断时会产生高的dv/dt和di/dt，进而对其他设备造成严重的共模电磁干扰(electromagnetic interference

EMI)。因此，为了提高电力电子系统的电磁兼容性，该文通过分析Si CMOSFET同步BuckDC/DC变换器共模EMI产生机理，进而提出一种基于同步脉冲补偿(synchronous pulses compensation

SPC)的新型共模EMI抑制方法。首先，建立基于Si CMOSFET同步BuckDC/DC变换器的共模EMI模型，并得出Si C MOSFET开关波形与共模EMI噪声之间的函数关系；其次，建立Si CMOSFET开关波形简化时域模型并预测共模EMI噪声频谱，同时理论分析基于SPC的共模EMI抑制方法可行性并建立基于FPGA的同步脉冲注入实现方案；然后，在实验中讨论非理想SPC以及共模电感所产生的影响；最后，通过实验验证Si CMOSFET同步BuckDC/DC变换器的共模EMI模型准确性以及基于SPC的共模EMI抑制方法的有效性。