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MOSFET与IGBT组合器件在高频开关电源中的应用及仿真
更新时间:2025-11-18
    • MOSFET与IGBT组合器件在高频开关电源中的应用及仿真

    • Application and simulation of MOSFET and IGBT combined device in high-frequency SMPS

    • 湖南电力   2006年第1期 页码:8-10
    • 中图分类号: TN86
    • 纸质出版:2006

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  • [1]彭刚毅,吴军昌.MOSFET与IGBT组合器件在高频开关电源中的应用及仿真[J].湖南电力,2006(01):8-10. DOI:

    PENG Gang-yi, WU Jun-chang. Application and simulation of MOSFET and IGBT combined device in high-frequency SMPS[J]. 2006, (1): 8-10. DOI:

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