您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
衰亡等离子体中产生离子输运初始电子温度效应的临界电子数密度判据
脉冲功率与放电等离子体 | 更新时间:2025-12-08
    • 衰亡等离子体中产生离子输运初始电子温度效应的临界电子数密度判据

    • Critical Value of the Electron Number Density for the Initial Electron Temperature Effect of the Ion Transport in a Decaying Plasma

    • 高电压技术   2020年46卷第2期 页码:729-736
    • 网络出版:2020-02-29,

      纸质出版:2020

    移动端阅览

  • 陈坚, 李静, 李和平, 等. 衰亡等离子体中产生离子输运初始电子温度效应的临界电子数密度判据[J]. 高电压技术, 2020,46(2):729-736. DOI:

    CHEN Jian, LI Jing, LI Heping, et al. Critical Value of the Electron Number Density for the Initial Electron Temperature Effect of the Ion Transport in a Decaying Plasma[J]. 2020, 46(2): 729-736. DOI:

  •  
  •  

0

浏览量

0

下载量

2

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

高压条件下陶瓷气孔内的等离子体演化特性

相关作者

徐翱
王亚军
杜继实
金大志
陈磊

相关机构

中国工程物理研究院电子工程研究所
0