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Ti化合物と石墨烯の汚染によるMgH2の水素放出性能のシミュレーション研究
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DOI:
10.3969/j.issn.2097-0021.2024.06.004
Abstract
MgH2の水素放出温度が高く、水素放出の動力学が遅い問題を解決するために、第一原理計算法を用いて、Ti化合物と石墨烯の汚染がMgH2の水素放出性能に及ぼす影響をシミュレーションおよび調査しました。結合長、結合角、相互作用エネルギーの計算により、Ti化合物と石墨烯の汚染がMgH2分子のMg-H結合をより効果的に強化できることが発見され、TiO2/石墨烯での強化効果が最も強かった。微分電荷密度を計算することで、Ti化合物/石墨烯表面の異なるMgH2分子の電荷移動状態を明らかにし、Ti化合物/石墨烯表面の異なるMg4H8クラスターの放出水素エンタルピーを計算し、MgH2の水素放出性能を最も効果的に改善することを証明しました。
Keywords
水素貯蔵材料;MgH2;石墨烯;第一原理計算
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