针对采用原子层沉积（ALD）工艺制备的Al

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薄膜对TOPCon太阳电池电性能的影响进行了研究。研究结果显示：1)空间型沉积方式下制备得到的Al

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薄膜厚度为9 nm时与时间型沉积方式下制备得到的Al

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薄膜厚度为5 nm时得到的TOPCon太阳电池隐开路电压相同；且当两种沉积方式得到的Al

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薄膜钝化效果相当时，制备得到的TOPCon太阳电池的电性能也无明显差异。2)当采用时间型沉积方式时，循环次数为32次时得到的TOPCon太阳电池的光电转换效率最高。3)相较于未进行臭氧预处理的TOPCon太阳电池，增加臭氧预处理后TOPCon太阳电池的光电转换效率并未得到提升，原因在于：（1）未进行臭氧预处理的TOPCon太阳电池在进行Al

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薄膜沉积前会有双氧水清洗环节，起到了氧化作用，使硅与Al

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薄膜界面之间形成了SiO

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层，已具备优异的表面钝化效果；（2）时间型管式ALD设备的供气方式导致臭氧在反应炉腔中不同位置的稳定性不同，尤其是炉尾位置硅片对臭氧的吸附程度较低。4)时间型沉积方式存在绕镀面积大，影响硅片背面外观的问题；空间型沉积方式虽然可有效解决绕镀问题，但其弊端在于设备占地面积大，单位面积产能低，且维护时间长，不利于大规模生产下的成本降低。