基于极化波形调控的P(VDF-TrFE)磁电薄膜非易失性存储性能研究

张嘉伟; 韩涛; 蒙轩; 宋宸; 秦司晨; Hajjaji Abdelowahed; Fouad Belhora

doi:10.16543/j.2095-641x.electric.power.ict.2025.04.01

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基于极化波形调控的P(VDF-TrFE)磁电薄膜非易失性存储性能研究

更新时间：2026-01-31

- 基于极化波形调控的P(VDF-TrFE)磁电薄膜非易失性存储性能研究
- Vol. 23, Issue 4, Pages: 1-8(2025)
- 作者机构：
  
  1. 西安理工大学电气工程学院
  2. 国网陕西省电力有限公司延安供电公司
  3. Laboratory of Engineering Sciences for Energy (LabSIPE),National School of Applied Sciences,Chouaib Doukkali University
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.16543/j.2095-641x.electric.power.ict.2025.04.01
  CLC： TP333
- Published：2025
- 稿件说明：
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张嘉伟, 韩涛, 蒙轩, et al. 基于极化波形调控的P(VDF-TrFE)磁电薄膜非易失性存储性能研究[J]. 2025, 23(4): 1-8.
DOI：

张嘉伟, 韩涛, 蒙轩, et al. 基于极化波形调控的P(VDF-TrFE)磁电薄膜非易失性存储性能研究[J]. 2025, 23(4): 1-8. DOI： 10.16543/j.2095-641x.electric.power.ict.2025.04.01.

摘要

数据存储作为电力信息系统的关键构成部分，其高可靠性、快速读写以及强大的兼容性尤为重要。基于多铁性磁电材料自旋电子学特性的非易失性存储器，读写快且存储安全，有望在未来的电力设备中存储设备配置信息与实时数据缓存。然而，利用直流电压进行极化处理时，磁电材料呈现出极化程度有限且均匀性不足，致使非易失性存储器的存储效率显著下降。交流电压可有效地驱动材料内部偶极子的定向排列，增强电荷的注入与存储效果，是提升存储器存储效率的有效方法。文章通过电晕极化调控技术，研究了不同电压波形对P(VDF-TrFE)磁电薄膜磁电性能的影响。实验结果表明，电压波形为三角波信号时，P(VDF-TrFE)磁电薄膜的磁电电压系数达37.59 mV/(cm·Oe)，较直流和交流信号分别提高了19.5%和9.7%，有效提升了磁电材料的宏观磁电性能。数据存储的发展为数据中心节能与扩容和智能电网设备存储领域提供技术支撑，以提供高效的本地存储，降低运营成本和能耗。

Abstract

关键词

Keywords

references

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grid.440473.0, 0000 0004 0410 1298, Laboratory of Solid Physics - LPS, Department of Physics, Faculty of Sciences, University Badji Mokhtar Annaba, BP 12, 23000, Annaba, Algeria,grid.440473.0, 0000 0004 0410 1298, Laboratory of Solid Physics - LPS, Department of Physics, Faculty of Sciences, University Badji Mokhtar Annaba, BP 12, 23000, Annaba, Algeria,grid.413060.0, 0000 0000 9957 3191, Department of Physics, College of Science, University of Bahrain, PO Box 32038, Zallaq, Kingdom of Bahrain.Synergistic effects of stretching/polarization temperature and electric field on phase transformation and piezoelectric properties of polyvinylidene fluoride nanofilms[J].Applied Physics A: Materials Science & Processing,2020.

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