1. 西安交通大学电工材料电气绝缘全国重点实验室
2. 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室
Published:2025
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王永亮, 李俊娜, 史浩良, et al. 大气压下均匀场氮气间隙纳秒脉冲放电过程的三维PIC/MCC仿真研究[J]. 2025, 51(4): 2037-2048.
DOI:
王永亮, 李俊娜, 史浩良, et al. 大气压下均匀场氮气间隙纳秒脉冲放电过程的三维PIC/MCC仿真研究[J]. 2025, 51(4): 2037-2048. DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20240005.
为研究几十纳秒脉冲电压下放电参数对气体火花开关间隙放电过程的影响机理,基于场致发射假设,采用三维粒子仿真模型模拟了大气压下均匀场氮气间隙在不同条件下的纳秒脉冲放电通道的形成和发展过程。通过调整脉冲电压上升时间、种子电子数密度和场增强因子等参数,研究了放电参数对电子崩和流注形态结构的影响。模拟结果表明:电子崩向阳极发展,流注向阳极和阴极同时发展,流注通道存在明显分叉现象,放电参数不同时,流注通道传播速度和形态结构存在差异;种子电子数密度一定时,脉冲电压上升时间越大,流注通道传播速度越小,分叉现象越严重。脉冲电压上升时间一定时,高种子电子数密度可以促进流注的形成和发展,减弱流注通道的分叉现象;高场增强因子可实现显著的预电离效果,有效促进流注通道的形成和发展,最大程度地减弱流注通道的分叉现象。
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