海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室
Published:2014
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[1]汪波,罗毅飞,刘宾礼,唐勇.不同负载条件下绝缘栅双极型晶体管死区时间设置分析[J].高电压技术,2014,40(11):3584-3589.
汪波, 罗毅飞, 刘宾礼, et al. 不同负载条件下绝缘栅双极型晶体管死区时间设置分析[J]. 2014, 40(11): 3584-3589.
[1]汪波,罗毅飞,刘宾礼,唐勇.不同负载条件下绝缘栅双极型晶体管死区时间设置分析[J].高电压技术,2014,40(11):3584-3589. DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.11.039.
汪波, 罗毅飞, 刘宾礼, et al. 不同负载条件下绝缘栅双极型晶体管死区时间设置分析[J]. 2014, 40(11): 3584-3589. DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.11.039.
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的死区时间设置通常是采用Infenion技术文档中的计算式来计算。但该计算式并没有考虑不同负载时的情形
可能会导致设置不合理。为此
首先分析了IGBT死区时间设置对穿通发生区域的影响
然后在不同负载条件下采用实验的方法测试得到了IGBT死区时间设置
并与计算式得到的理论值进行了比较。结果表明:阻性负载时必须考虑关断时的下降时间;而感性负载时只需取关断延时;空载时的测试结果不能作为设计参考。由此
对不同负载条件下IGBT死区时间设置的计算式进行了修正
并分析了计算式产生差别的原因。
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