基于磁集成技术的变压器式可控电抗器的结构设计与分析

田铭兴; 尹健宁; 柳轶彬; 原东昇

doi:10.13336/j.1003-6520.hve.2014.10.028

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基于磁集成技术的变压器式可控电抗器的结构设计与分析

更新时间：2025-12-08

- 基于磁集成技术的变压器式可控电抗器的结构设计与分析
- Vol. 40, Issue 10, Pages: 3141-3149(2014)
- 作者机构：
  
  兰州交通大学自动化与电气工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13336/j.1003-6520.hve.2014.10.028
  CLC： TM47
- Published：2014
- 稿件说明：
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[1]田铭兴,尹健宁,柳轶彬,原东昇.基于磁集成技术的变压器式可控电抗器的结构设计与分析[J].高电压技术,2014,40(10):3141-3149.

田铭兴, 尹健宁, 柳轶彬, et al. 基于磁集成技术的变压器式可控电抗器的结构设计与分析[J]. 2014, 40(10): 3141-3149.
[1]田铭兴,尹健宁,柳轶彬,原东昇.基于磁集成技术的变压器式可控电抗器的结构设计与分析[J].高电压技术,2014,40(10):3141-3149. DOI： 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.10.028.

田铭兴, 尹健宁, 柳轶彬, et al. 基于磁集成技术的变压器式可控电抗器的结构设计与分析[J]. 2014, 40(10): 3141-3149. DOI： 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.10.028.

摘要

为了实现变压器式可控电抗器（CRT）"高阻抗、弱耦合"的设计目的

基于磁集成技术

提出了阵列式磁集成CRT结构。通过分析此结构各绕组磁通关系以及建立其等效电路

推导出各绕组的短路阻抗与短路电流的计算式

并进行绕组短路阻抗与短路电流的举例计算。磁通分析与举例计算结果表明

所提出的阵列式磁集成CRT结构将控制绕组与限流电感集成在一起

将各控制绕组的短路电流维持在了额定值

在满足CRT"高阻抗"设计要求的同时减少了分立磁件数目;此外

随着后续控制绕组的投入

已经投入运行的控制绕组电流保持不变

即达到了各控制绕组间完全解耦的目的

满足CRT"弱耦合"的设计要求。

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