混沌腔体中电场边缘概率分布模型

庄信武; 余志勇; 刘光斌; 谭武端

doi:10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.026

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混沌腔体中电场边缘概率分布模型

更新时间：2025-12-08

- 混沌腔体中电场边缘概率分布模型
- Vol. 40, Issue 9, Pages: 2791-2796(2014)
- 作者机构：
  
  第二炮兵工程大学控制工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.026
  CLC： O211;O441
- Published：2014
- 稿件说明：
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[1]庄信武,余志勇,刘光斌,谭武端.混沌腔体中电场边缘概率分布模型[J].高电压技术,2014,40(09):2791-2796.

庄信武, 余志勇, 刘光斌, et al. 混沌腔体中电场边缘概率分布模型[J]. 2014, 40(9): 2791-2796.
[1]庄信武,余志勇,刘光斌,谭武端.混沌腔体中电场边缘概率分布模型[J].高电压技术,2014,40(09):2791-2796. DOI： 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.026.

庄信武, 余志勇, 刘光斌, et al. 混沌腔体中电场边缘概率分布模型[J]. 2014, 40(9): 2791-2796. DOI： 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.026.

摘要

为研究有限容量样本下电场分布情况

基于边缘分布理论方法

得到混沌腔体内电场边缘分布模型。该模型在混沌条件下一致性收敛速度快

当样本容量N>10时

最大相对误差收敛于0.004 5。与此同时

利用混响室实测数据及理想波混沌场

对边缘分布模型的有效性进行试验验证

结果表明:该边缘分布模型与样本分布基本重合;无论对单自由度还是3自由度的波混沌场都可以很好地拟合场的分布

优于传统的Weilbull、Rayleigh分布。该模型对有限样本下混沌电场的统计分布规律的描述

具有重要的理论价值和指导意义。

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