可控硅控制直流污秽试验电源的探讨

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可控硅控制直流污秽试验电源的探讨

更新时间：2025-12-08

- 可控硅控制直流污秽试验电源的探讨
- Issue 4, Pages: 34-38(1985)
- 作者机构：
  
  重庆大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13336/j.1003-6520.hve.1985.04.009
  CLC：
- Published：1985
- 稿件说明：
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[1]张建辉,顾乐观,孙才新.可控硅控制直流污秽试验电源的探讨[J].高电压技术,1985(04):34-38.

张建辉, 顾乐观, 孙才新. 可控硅控制直流污秽试验电源的探讨[J]. 1985, (4): 34-38.
[1]张建辉,顾乐观,孙才新.可控硅控制直流污秽试验电源的探讨[J].高电压技术,1985(04):34-38. DOI： 10.13336/j.1003-6520.hve.1985.04.009.

张建辉, 顾乐观, 孙才新. 可控硅控制直流污秽试验电源的探讨[J]. 1985, (4): 34-38. DOI： 10.13336/j.1003-6520.hve.1985.04.009.

本文讨论了在直流电源中采用可控硅反馈控制方式对绝缘子污秽闪络电压的影响

此电源对改善直流污秽试验电源的特性有明显的效果

分析了可控硅反馈控制电源和非可控硅控制电源回路中电源内阻抗、滤波电容器电容量、电源短路电流以及空载输出电压等参数对电源动态压降的影响。在相同试验条件下

用可控硅反馈控制电源测得的绝缘子污闪电压总是低于非可控硅控制电源测得的污闪电压

它更接近实际电力系统中的绝缘子污闪电压值.

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