Time Domain Dielectric Spectroscopy of N Silicon-Aluminium Interface

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- Time Domain Dielectric Spectroscopy of N Silicon-Aluminium Interface
- Vol. 14, Issue 4, Pages: 18-21(1997)
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- Online First：16 October 1997，
  
  Published：1997
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范仰才, 周镇宏, 李景德. N型硅和铝界面的时域介电谱[J]. 广东工业大学学报, 1997, 14(4): 18-21.

Fan Yangcai, Zhou Zhenhong, Li Jingde. Time Domain Dielectric Spectroscopy of N Silicon-Aluminium Interface[J]. 1997, 14(4): 18-21.
范仰才, 周镇宏, 李景德. N型硅和铝界面的时域介电谱[J]. 广东工业大学学报, 1997, 14(4): 18-21. DOI：

Fan Yangcai, Zhou Zhenhong, Li Jingde. Time Domain Dielectric Spectroscopy of N Silicon-Aluminium Interface[J]. 1997, 14(4): 18-21. DOI：

用微分时域介电谱方法在液氮温度下研究了掺磷硅单晶和铝接触界面势垒层的性质．观察到除通常频域方法能测出的快极化响应外，还存在三种不同的慢极化机构．响应时间为１．１２ｍｓ、０．６９ｓ和２９．０ｓ的慢效应可分别解释为载流子扩散、施主能级激发和表面俘获能级的贡献．

李景德,陈敏,郑凤,周镇宏. 慢效应的扩散理论[J]. 中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学). 1996(11)

李景德,曹万强,李向前,符德胜. 时域介电谱方法及其应用[J]. 物理学报. 1996(07)

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