基于工业CT检测和有限元仿真的盆式绝缘子放电击穿故障原因分析

马笛琴; 陈田; 李阳林; 胡睿智; 连汝慧

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基于工业CT检测和有限元仿真的盆式绝缘子放电击穿故障原因分析

更新时间：2026-04-25

- 基于工业CT检测和有限元仿真的盆式绝缘子放电击穿故障原因分析
- Vol. 50, Issue 1, Pages: 46-50+70(2026)
- 作者机构：
  
  国网江西省电力有限公司电力科学研究院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TM216;TM855
- Published：2026
- 稿件说明：
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马笛琴, 陈田, 李阳林, et al. 基于工业CT检测和有限元仿真的盆式绝缘子放电击穿故障原因分析[J]. 2026, 50(1): 46-50+70.
DOI：

马笛琴, 陈田, 李阳林, et al. 基于工业CT检测和有限元仿真的盆式绝缘子放电击穿故障原因分析[J]. 2026, 50(1): 46-50+70. DOI：

摘要

盆式绝缘子作为组合电器的关键绝缘构件，其内部缺陷引发局部电场畸变，最终诱发放电击穿，严重影响组合电器的可靠运行。文中采用工业用计算机断层成像（industrial computerized tomography，工业CT）检测500 kV中心嵌件带屏蔽环的盆式绝缘子内部缺陷分布，检测发现在屏蔽环、螺栓附近以及环氧树脂和中心嵌件界面均存在多处缺陷；解体发现故障盆式绝缘子放电起始位置位于屏蔽环附近。基于盆式绝缘子内部缺陷分布及放电起始位置，采用有限元仿真软件分析4个位于屏蔽环附近气泡缺陷对盆式绝缘子内部电场的分布影响。研究发现，当气泡位于屏蔽环拐角附近，电场强度达到畸变最大。结果表明：该盆式绝缘子中心屏蔽环拐角为起始放电点，放电路径由中心嵌件屏蔽环根部至法兰处，贯穿盆式绝缘子内层，形成电弧放电击穿通道。

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关键词

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references

刘惠龙.典型缺陷对盆式绝缘子的影响及相关检测方法研究[D].南昌大学,2024(04).

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王永强,胡芳芳,谢军,崔博源.GIS盆式绝缘子气隙缺陷下电场变化规律仿真研究[J].绝缘材料,2016(01).

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