<正>国家电子工业部第十八研究所完成的科研成果——低阻高效硅太阳电池

进一步完成了PESC（钝化发射区太阳电池）的结构设计及制备工艺

用TCA氧化代替低温CVD二氧化硅膜

并实现了一种减少栅线、阴影效应的新结构

用国产硅单晶实现了20％的光电转换效率。该所还展开了新型高效硅太阳电池空间应用的可行性研究

并解决了高可靠性、低吸收系数等技术关键。