摘要: 柔性直流输电技术的飞速发展，对压接型IGBT器件的可靠性要求进一步提高。各组件间的接触电阻与接触热阻是影响器件内部各芯片的压力分布以及温度分布的重要因素，而烧结银技术可以显著降低界面的接触电阻和接触热阻，因此烧结连接方式近年来被广泛应用于压接型IGBT器件中。本文针对全压接和不同烧结方式的压接型IGBT建立了多物理场有限元模型，通过实验测量的瞬态热阻抗曲线验证有限元模型的准确，获得了功率循环工况下器件的热力特性。计算结果表明，烧结可以降低最高结温并且使得温度分布更加均匀，但给芯片表面带来了较大的热应力，集电极侧烧结方式下温度分布和应力分布都较为均匀，具有较高的功率循环寿命。